Contribuições a uma tecnologia n-mos com carga em depleção e porta metalica, e projeto de uma fonte de autopolarização (1984)
- Authors:
- Autor USP: LAGANA, ARMANDO ANTONIO MARIA - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEL
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho procuramos contribuir para o melhoramento de uma tecnologia N-MOS com carga em depleção com porta metálica, desenvolvida pelo professor Dr. Joel Pereira Souza, modificando a sequência de fabricação, introduzindo novos processos disponíveis e aplicando polarização negativa no substrato. Para tanto desenvolvemos dois tipos de fontes de autopolarização, sendo que uma utiliza oscilador com disparador-Schimitt e outra oscilador RC. Determinamos uma nova sequência para projeto de um inversor básico procurando otimizar o transistor de carga. As principais características da tecnologia são: .........
- Imprenta:
- Data da defesa: 29.05.1984
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ABNT
LAGANÁ, Armando Antonio Maria. Contribuições a uma tecnologia n-mos com carga em depleção e porta metalica, e projeto de uma fonte de autopolarização. 1984. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1984. . Acesso em: 30 abr. 2024. -
APA
Laganá, A. A. M. (1984). Contribuições a uma tecnologia n-mos com carga em depleção e porta metalica, e projeto de uma fonte de autopolarização (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Laganá AAM. Contribuições a uma tecnologia n-mos com carga em depleção e porta metalica, e projeto de uma fonte de autopolarização. 1984 ;[citado 2024 abr. 30 ] -
Vancouver
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