Modelos de grandes sinais para transistores HEMT aplicado à síntese de circuitos não lineares de microondas (1991)
- Authors:
- Autor USP: CORRERA, FATIMA SALETE - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEL
- Assunto: TRANSISTORES
- Language: Português
- Abstract: O tema central desta tese é o estudo do comportamento não-linear de transistores de efeito de campo empregando heteroestrutura de A1GaAs/GaAs com modulação de dopagem, denominados HEMTs. São apresentados o estado atual da arte e os fundamentos teóricos referentes a esse dispositivo. É proposto um modelo original para o HEEMT, que fornece uma representação unificada do dispositivo em DC e em micro-ondas, em regime de pequenos sinais e de grandes sinais. Descreve-se o equacionamento utilizado na implantação do modelo desenvolvido para HEMTs no simulador de circuitos SPICE. É apresentado um método para extração dos parâmetros do modelo proposto para HEMTs, bem como sua aplicação ao modelamento de um transistor comercialmente disponível. É realizada a comprovação do modelo, comparando-se resultados experimentais com os obtidos através do modelo do HEMT, relativos a características estáticas e ao desempenho do transistor na faixa de micro-ondas, tanto em operação linear, como não-linear. É proposto um novo método de síntese de circuitos não-lineares de micro-ondas, empregando o modelo não-linear desenvolvido para HEMTs e o simulador de circuitos SPICE. Discute-se a aplicação desse método de síntese a osciladores e multiplicadores de frequências, apresentando-se o projeto, realização e resultados experimentais de osciladores em 9 e 18 GHz e de dobrador de frequências de 6/12 GHz. Os resultados experimentais obtidos validaram o modelo do HEMT e o método de síntese de circuitos não lineares propostos nesta tese, apresentando características otimizadas, inéditas para esse dispositivo, destacando-se: geração de +14,5 dBm e eficiência de 30% - oscilador de 9 GHz, e ganho de multiplicação de 10 dB para o dobrador de frequências de 6/12 GHz.
- Imprenta:
- Data da defesa: 15.05.1991
-
ABNT
CORRERA, Fatima Salete. Modelos de grandes sinais para transistores HEMT aplicado à síntese de circuitos não lineares de microondas. 1991. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1991. . Acesso em: 02 jun. 2024. -
APA
Correra, F. S. (1991). Modelos de grandes sinais para transistores HEMT aplicado à síntese de circuitos não lineares de microondas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Correra FS. Modelos de grandes sinais para transistores HEMT aplicado à síntese de circuitos não lineares de microondas. 1991 ;[citado 2024 jun. 02 ] -
Vancouver
Correra FS. Modelos de grandes sinais para transistores HEMT aplicado à síntese de circuitos não lineares de microondas. 1991 ;[citado 2024 jun. 02 ] - Oscilador de microondas banda larga em tecnologia MMIC GaAs MESFET
- Oscilador controlado por tensao miniaturizado banda L
- Insumos para documentacao do oscilador miniaturizado banda l
- Amplificador distribuído em GaAs a 17GHz
- 2.488 gb / s 1: 4/1:16 demultiplexer : an experience on the design of high-speed digital 'GA''AS' ics
- Mmics - circuitos integrados monoliticos de microondas
- Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta eficiência
- 2488 gb / s 'GA''AS' 1: 4/1:15 demultiplexer ic with skip circuit for sonet sts-12/48 systems
- Dimensionamento de unidades remotas de sistemas VSAT
- Amplificador distribuído a PHEMT - 5 a 25 GHz
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
