Estudo do contato metal-semicondutor em 'GA''AS' e sua contribuicao na construcao de mesfet (1991)
- Authors:
- Autor USP: LEE, HONG KEUN - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEL
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Este trabalho consiste em estudar e otimizar contatos metal-semicondutor de arseneto de galido para construcao de transistores mesfet. Para chegar a este objetivo construiu-se dispositivos de caracterizacao dos contatos e camada ativa; desenvolveu-se uma tecnologia de construcao de transistor mesfet de microonda; e finalmente caracterizou o transistor e comparou os resultados obtidos experimentalmente com os obtidos teoricamente (estimados com dispositivos de caracterizacao). A comparacao dos resultados mostraram a validade dos metodos de caracterizacao e a tecnologia de construcao de transistor mesfet desenvolvida. O transistor construido com comprimento de porta de 1, 2 microns apresentou caracteristicas de microondas consideradas boas. O contato ohmico obtido a base de material sinterizado 'PD'/'GE'/'AU' mostrou ter baixa resistividade e uma boa morfologia de superficie, o que permitiria maior interacao
- Imprenta:
- Data da defesa: 03.05.1991
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ABNT
LEE, Hong Keun. Estudo do contato metal-semicondutor em 'GA''AS' e sua contribuicao na construcao de mesfet. 1991. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1991. . Acesso em: 02 jun. 2024. -
APA
Lee, H. K. (1991). Estudo do contato metal-semicondutor em 'GA''AS' e sua contribuicao na construcao de mesfet (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Lee HK. Estudo do contato metal-semicondutor em 'GA''AS' e sua contribuicao na construcao de mesfet. 1991 ;[citado 2024 jun. 02 ] -
Vancouver
Lee HK. Estudo do contato metal-semicondutor em 'GA''AS' e sua contribuicao na construcao de mesfet. 1991 ;[citado 2024 jun. 02 ]
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