Sensores de campo magnetico compativeis com circuitos integrados (1993)
- Authors:
- Autor USP: GALEAZZO, ELISABETE - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: O objetivo principal deste trabalho e o desenvolvimento de sensores de campo magnetico compativeis com as tecnologias convencionais de circuitos integrados. Sao utilizadas tecnologias industriais oferecidas pelos projetos multiusuarios brasileiros para a fabricacao dos dispositivos sensores. E realizada uma revisao dos efeitos galvanomagneticos nos semicondutores submetidos a alguma excitacao magnetica e sao analisadas as dependencias dos coeficientes das expressoes do transporte galvanomagnetico nos semicondutores. Sao apresentados alguns sensores de campo magnetico a semicondutor, denominados magneto-transistores, sendo especificadas as alteracoes geometricas realizadas, as polarizacoes eletricas efetuadas e efeitos basicos correspondentes a cada sensor projetado. E calculada analiticamente a sensibilidade magnetica de cada dispositivo sensor em funcao da condicao de polarizacao. Os resultados experimentais obtidos, ilustrados mediante a sensibilidade magnetica, sao comparados com as analises teoricas desenvolvidas.
- Imprenta:
- Data da defesa: 07.05.1993
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ABNT
GALEAZZO, Elisabete. Sensores de campo magnetico compativeis com circuitos integrados. 1993. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1993. . Acesso em: 23 maio 2024. -
APA
Galeazzo, E. (1993). Sensores de campo magnetico compativeis com circuitos integrados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Galeazzo E. Sensores de campo magnetico compativeis com circuitos integrados. 1993 ;[citado 2024 maio 23 ] -
Vancouver
Galeazzo E. Sensores de campo magnetico compativeis com circuitos integrados. 1993 ;[citado 2024 maio 23 ] - A influência de processos químicos após a formação de silício poroso. (também em CD-Rom)
- Caracterização das ligações químicas superficiais do silício poroso por FTIR
- A influência de parâmetros de formação do silício poroso na resposta luminescente
- Obtenção do silício poroso em áreas seletivas
- Silício poroso para aplicações em sensores e microssistemas
- Magneto-sensor diferencial
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- Sensibilidade versus linearizacao em sensores de campo magnetico integraveis
- The influence of chemical species on photoluminescence of porous silicon. (em CD-Rom)
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