Theoretical model of the au-te complex in silicon (1985)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/physrevb.32.8085
- Language: Português
- Source:
- Título do periódico: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.32, p.8085-91, 1985
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. e FAZZIO, A. Theoretical model of the au-te complex in silicon. Physical Review B, v. 32, p. 8085-91, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085. Acesso em: 08 jun. 2024. -
APA
Assali, L. V. C., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Theoretical model of the au-te complex in silicon. Physical Review B, 32, 8085-91. doi:10.1103/physrevb.32.8085 -
NLM
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Theoretical model of the au-te complex in silicon [Internet]. Physical Review B. 1985 ;32 8085-91.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085 -
Vancouver
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Theoretical model of the au-te complex in silicon [Internet]. Physical Review B. 1985 ;32 8085-91.[citado 2024 jun. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085 - Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI'
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Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.32.8085 (Fonte: oaDOI API)
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