Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb (1988)
- Authors:
- USP affiliated authors: ANDRADE, CARLOS AMERICO MORATO DE - IEE ; ANDRADE, ADNEI MELGES DE - EP ; SANEMATSU, MARIO SABRO - EP ; FONSECA, FERNANDO JOSEPETTI - EP
- Unidades: IEE; EP
- Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
- Language: Português
- Source:
- Título do periódico: Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.1 , p.417-40, 1988
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ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de et al. Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, v. 1 , p. 417-40, 1988Tradução . . Acesso em: 06 maio 2024. -
APA
Andrade, C. A. M. de, Selingardi, M. L., Andrade, A. M. de, Fonseca, F. J., Bertolino, M. A., Matos, J. D., & Sanematsu, M. S. (1988). Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, 1 , 417-40. -
NLM
Andrade CAM de, Selingardi ML, Andrade AM de, Fonseca FJ, Bertolino MA, Matos JD, Sanematsu MS. Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 417-40.[citado 2024 maio 06 ] -
Vancouver
Andrade CAM de, Selingardi ML, Andrade AM de, Fonseca FJ, Bertolino MA, Matos JD, Sanematsu MS. Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 417-40.[citado 2024 maio 06 ] - Transistores de filmes finos de silicio amorfo
- Attitude solar sensors for the brazilian satellites
- Amorphous silicon thin film field effect transistors
- Caracterização de detetores fotovoltaicos integrados para os sensores solares da mecb
- Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro
- Desenvolvimento de detetores integrados para sensores de atitude
- PECVD deposited dielectrics for a-Si:H thin film transistors
- Injecting contacts for a Si:H thin film transistors
- Estudo comparativo da implantacao ionica de potassio e fosforo em silicio amorfo para utilizacao em contatos injetores
- Luminescence properties of the TRIMEB inclusion compound of a europium tris-ß-diketonate
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