Use of the charge pumping technique for the evaluation of mosfet degradation due to stress in silicide / polysilicon double layer (1990)
- Authors:
- USP affiliated authors: SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS - EP ; SANTOS FILHO, SEBASTIAO GOMES DOS - EP
- Unidade: EP
- Subjects: SILÍCIO; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sbmicro/Spie
- Publisher place: Campinas
- Date published: 1990
- Source:
- Título do periódico: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e SWART, Jacobus Willibrordus. Use of the charge pumping technique for the evaluation of mosfet degradation due to stress in silicide / polysilicon double layer. 1990, Anais.. Campinas: Sbmicro/Spie, 1990. . Acesso em: 30 abr. 2024. -
APA
Santos Filho, S. G. dos, & Swart, J. W. (1990). Use of the charge pumping technique for the evaluation of mosfet degradation due to stress in silicide / polysilicon double layer. In Anais. Campinas: Sbmicro/Spie. -
NLM
Santos Filho SG dos, Swart JW. Use of the charge pumping technique for the evaluation of mosfet degradation due to stress in silicide / polysilicon double layer. Anais. 1990 ;[citado 2024 abr. 30 ] -
Vancouver
Santos Filho SG dos, Swart JW. Use of the charge pumping technique for the evaluation of mosfet degradation due to stress in silicide / polysilicon double layer. Anais. 1990 ;[citado 2024 abr. 30 ] - Formation and characterization of the Ni(Pt)Si and NiSi for MOS devices applications
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