Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' (1990)
- Authors:
- USP affiliated authors: BASMAJI, PIERRE - IFSC ; LI, MAXIMO SIU - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.9 , n.1 , p.14-6, 1990
-
ABNT
MINAMI, E et al. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, v. 9 , n. 1 , p. 14-6, 1990Tradução . . Acesso em: 21 maio 2024. -
APA
Minami, E., Migliato, J., Notari, A., Ceschin, A. M., Basmaji, P., & Siu Li, M. (1990). Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, 9 ( 1 ), 14-6. -
NLM
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1990 ;9 ( 1 ): 14-6.[citado 2024 maio 21 ] -
Vancouver
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1990 ;9 ( 1 ): 14-6.[citado 2024 maio 21 ] - Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe)
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