Estudos de defeitos em silício (1990)
- Authors:
- Autor USP: STOJANOFF, VIVIAN - IF
- Unidade: IF
- Subjects: CITOLOGIA; BIOLOGIA CELULAR
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletrônica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1990
- Source:
- Título do periódico: Anais
- Conference titles: Micromat 90 - Simpósio Brasileiro de Microscopia Eletrônica e Técnicas Associadas Na Pesquisa e Materiais
-
ABNT
TEIXEIRA, C V e CONFORTO, E e STOJANOFF, Vivian. Estudos de defeitos em silício. 1990, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletrônica, 1990. . Acesso em: 21 maio 2024. -
APA
Teixeira, C. V., Conforto, E., & Stojanoff, V. (1990). Estudos de defeitos em silício. In Anais. São Paulo: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletrônica. -
NLM
Teixeira CV, Conforto E, Stojanoff V. Estudos de defeitos em silício. Anais. 1990 ;[citado 2024 maio 21 ] -
Vancouver
Teixeira CV, Conforto E, Stojanoff V. Estudos de defeitos em silício. Anais. 1990 ;[citado 2024 maio 21 ] - Caracterizacao de interfaces por incidencia rasante de raios-x em modo dispersivo
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