Transistores de filme fino de a-'SI': h / a-'SI'c : h (1990)
- Authors:
- USP affiliated authors: ANDRADE, ADNEI MELGES DE - EP ; PEREYRA, INÊS - EP ; CARRENO, MARCELO NELSON PAEZ - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CÉLULAS SOLARES
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 1990
- Source:
- Título do periódico: Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.9 , n.1 , p.7-10, 1990
-
ABNT
KOMAZAWA, A et al. Transistores de filme fino de a-'SI': h / a-'SI'c : h. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, v. 9 , n. 1 , p. 7-10, 1990Tradução . . Acesso em: 02 maio 2024. -
APA
Komazawa, A., Páez Carreño, M. N., Andrade, A. M. de, & Pereyra, I. (1990). Transistores de filme fino de a-'SI': h / a-'SI'c : h. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, 9 ( 1 ), 7-10. -
NLM
Komazawa A, Páez Carreño MN, Andrade AM de, Pereyra I. Transistores de filme fino de a-'SI': h / a-'SI'c : h. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1990 ;9 ( 1 ): 7-10.[citado 2024 maio 02 ] -
Vancouver
Komazawa A, Páez Carreño MN, Andrade AM de, Pereyra I. Transistores de filme fino de a-'SI': h / a-'SI'c : h. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1990 ;9 ( 1 ): 7-10.[citado 2024 maio 02 ] - Tfts an a sicx: h insulator layer
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