Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations (1991)
- Authors:
- Autor USP: SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/0038-1098(91)90622-3
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: Solid State Communications
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.78, p.793-6, 1991
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
RODRIGUES, R et al. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations. Solid State Communications, v. 78, p. 793-6, 1991Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3. Acesso em: 31 maio 2024. -
APA
Rodrigues, R., Guimaraes, P. S. S., Sampaio, J. F., Nogueira, R. A., Oliveira Junior, A. T., Dias, I. F. L., et al. (1991). Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations. Solid State Communications, 78, 793-6. doi:10.1016/0038-1098(91)90622-3 -
NLM
Rodrigues R, Guimaraes PSS, Sampaio JF, Nogueira RA, Oliveira Junior AT, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG, Chaves AS, Scolfaro LMR. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;78 793-6.[citado 2024 maio 31 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3 -
Vancouver
Rodrigues R, Guimaraes PSS, Sampaio JF, Nogueira RA, Oliveira Junior AT, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG, Chaves AS, Scolfaro LMR. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;78 793-6.[citado 2024 maio 31 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3 - Niveis de energia de pocos quanticos tipo 'GA IND.1-X' 'AL IND.XAS' / 'GA'as' / 'ga ind.1-x' 'al ind.Xas'
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Informações sobre o DOI: 10.1016/0038-1098(91)90622-3 (Fonte: oaDOI API)
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