Crescimento preferencial de fios cristalinos de 'GA''AS' em substratos preparados por litografia de feixe de eletrons (1993)
- Authors:
- USP affiliated authors: BASMAJI, PIERRE - IFQSC ; AEGERTER, MICHEL ANDRE - IFQSC ; SILVA, MARCELO DE ASSUMPCAO PEREIRA DA - IFSC
- Unidades: IFQSC; IFSC
- Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletronica
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 1993
- Conference titles: Coloquio da Sociedade Brasileira de Microscopia Eletronica
-
ABNT
ROSSI, J C et al. Crescimento preferencial de fios cristalinos de 'GA''AS' em substratos preparados por litografia de feixe de eletrons. 1993, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletronica, 1993. . Acesso em: 26 abr. 2024. -
APA
Rossi, J. C., Silva, M. de A. P. da, Aegerter, M. A., Basmaji, P., & Lubyshev, D. (1993). Crescimento preferencial de fios cristalinos de 'GA''AS' em substratos preparados por litografia de feixe de eletrons. In . Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletronica. -
NLM
Rossi JC, Silva M de AP da, Aegerter MA, Basmaji P, Lubyshev D. Crescimento preferencial de fios cristalinos de 'GA''AS' em substratos preparados por litografia de feixe de eletrons. 1993 ;[citado 2024 abr. 26 ] -
Vancouver
Rossi JC, Silva M de AP da, Aegerter MA, Basmaji P, Lubyshev D. Crescimento preferencial de fios cristalinos de 'GA''AS' em substratos preparados por litografia de feixe de eletrons. 1993 ;[citado 2024 abr. 26 ] - Correcao de formas e fabricacao de interconeccoes metalicas em escala nanometrica atraves da litografia por feixe de eletrons
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