Homogeneidade dos parametros termoeletricos em cristais de 'BI IND.2''TE IND.3' crescidos pela tecnica de bridgman (1995)
- Authors:
- USP affiliated authors: RABBANI, SAID RAHNAMAYE - IF ; ANDREETA, JOSE PEDRO - IFSC ; HERNANDES, ANTONIO CARLOS - IFSC
- Unidades: IF; IFSC
- Assunto: INSTRUMENTAÇÃO (FÍSICA)
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1995
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
CUSTÓDIO, M C C et al. Homogeneidade dos parametros termoeletricos em cristais de 'BI IND.2''TE IND.3' crescidos pela tecnica de bridgman. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Custódio, M. C. C., Rabbani, S. R., Hernandes, A. C., & Andreeta, J. P. (1995). Homogeneidade dos parametros termoeletricos em cristais de 'BI IND.2''TE IND.3' crescidos pela tecnica de bridgman. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Custódio MCC, Rabbani SR, Hernandes AC, Andreeta JP. Homogeneidade dos parametros termoeletricos em cristais de 'BI IND.2''TE IND.3' crescidos pela tecnica de bridgman. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Custódio MCC, Rabbani SR, Hernandes AC, Andreeta JP. Homogeneidade dos parametros termoeletricos em cristais de 'BI IND.2''TE IND.3' crescidos pela tecnica de bridgman. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Crescimento e caracterizacao de telureto de bismuto e ligas a partir de 'BI'-'SB'-'TE'-'SE' para aplicacoes termoeletricas
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