Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio (1995)
- Authors:
- Autor USP: HASENACK, CLAUS MARTIN - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Simposio de Iniciacao Cientifica da Universidade de São Paulo
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ABNT
ARAES, L G e HASENACK, Claus Martin. Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio. 1995, Anais.. Sao Paulo: Usp, 1995. . Acesso em: 01 maio 2024. -
APA
Araes, L. G., & Hasenack, C. M. (1995). Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio. In Resumos. Sao Paulo: Usp. -
NLM
Araes LG, Hasenack CM. Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio. Resumos. 1995 ;[citado 2024 maio 01 ] -
Vancouver
Araes LG, Hasenack CM. Simulacao numerica da evolucao da rugosidade da interface 'SI'-'SI''O IND.2' sob processo de oxidacao termica de silicio. Resumos. 1995 ;[citado 2024 maio 01 ] - Avaliação das características físico-químicas e elétricas de filmes de SiO2 depositados por PECVD a partir da reação entre O2 e TEOS
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