Processo de fabricação de um mosfet de poli (o-metoxianilina) (1996)
- Authors:
- USP affiliated authors: ONMORI, ROBERTO KOJI - EP ; FARIA, ROBERTO MENDONÇA - IFSC
- Unidades: EP; IFSC
- Assunto: POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Física - SBF
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1996
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
ONMORI, Roberto Koji e MATTOSO, Luiz Henrique C. e FARIA, Roberto Mendonça. Processo de fabricação de um mosfet de poli (o-metoxianilina). 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 1996. . Acesso em: 18 abr. 2024. -
APA
Onmori, R. K., Mattoso, L. H. C., & Faria, R. M. (1996). Processo de fabricação de um mosfet de poli (o-metoxianilina). In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. -
NLM
Onmori RK, Mattoso LHC, Faria RM. Processo de fabricação de um mosfet de poli (o-metoxianilina). Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 18 ] -
Vancouver
Onmori RK, Mattoso LHC, Faria RM. Processo de fabricação de um mosfet de poli (o-metoxianilina). Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 18 ] - Devide model for POMA field-effect transistor
- Device model for polyaniline field-effect transistor
- Obtenção e caracterização de diodo usando a poli (o-metoxianilina)
- Device model for polyaniline field-effect transistor
- Electrical characterization of poma field-effect transistor
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