Photocurrent properties of 'DELTA-'si'' doped 'IN''GA''AS' multi-quantum well heterostructure (1996)
- Authors:
- USP affiliated authors: BASMAJI, PIERRE - IFSC ; MAREGA JUNIOR, EUCLYDES - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
CAMPO JUNIOR, V L et al. Photocurrent properties of 'DELTA-'si'' doped 'IN''GA''AS' multi-quantum well heterostructure. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sbf, 1996. . Acesso em: 28 mar. 2024. -
APA
Campo Junior, V. L., Lubyshev, D. I., González-Borrero, P. P., Basmaji, P., & Marega Júnior, E. (1996). Photocurrent properties of 'DELTA-'si'' doped 'IN''GA''AS' multi-quantum well heterostructure. In Resumos. Sao Paulo: Sbf. -
NLM
Campo Junior VL, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Basmaji P, Marega Júnior E. Photocurrent properties of 'DELTA-'si'' doped 'IN''GA''AS' multi-quantum well heterostructure. Resumos. 1996 ;[citado 2024 mar. 28 ] -
Vancouver
Campo Junior VL, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Basmaji P, Marega Júnior E. Photocurrent properties of 'DELTA-'si'' doped 'IN''GA''AS' multi-quantum well heterostructure. Resumos. 1996 ;[citado 2024 mar. 28 ] - Surface kinetics effects at the mbe growth of iii-v compounds
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