Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium (1996)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1996
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
VENEZUELA, P e FAZZIO, A. Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 29 maio 2024. -
APA
Venezuela, P., & Fazzio, A. (1996). Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Venezuela P, Fazzio A. Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 29 ] -
Vancouver
Venezuela P, Fazzio A. Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 29 ] - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
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