Propriedades estruturais e eletrônicas de nitretos do grupo III (1997)
- Authors:
- Autor USP: TELES, LARA KÜHL - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho efetuamos estudos pioneiros de propriedades estruturais e eletrônicas do grupo III, em particular para o GaN e InN. Para tanto, fizemos uso de dois métodos, semi-empírico (Tight-Biding) e outro ab initio (full potential Linear Augmented Plane Wave - FPLAPW). Na primeira parte, estudamos a deposição de algumas camadas de GaN cúbico sobre o substrato 'beta'-SiC na direção <100> através de cálculos autoconsistentes tight-Biding da energia total. Obtivemos para diversos sistemas as energias de coesão, deslocamentos atômicos, ocupação das ligações pendentes e reconstruções da superfície. O substrato de SiC e as camadas epitaxiais de Ga-N são representados por supercélulas 2x2. Como resultado obtivemos que os átomos da superfície formam dimeros simetrica- ou assimetricamente, resultando em reconstruções da superfície tipo 2x1, c-2x2 ou 2x2. Independentemente da terminação do substrato, o nitrogênio se liga mais fortemente que o gálio. Na segunda parte, estudamos a estrutura
- Imprenta:
- Data da defesa: 21.03.1997
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ABNT
TELES, L. K. Propriedades estruturais e eletrônicas de nitretos do grupo III. 1997. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. . Acesso em: 03 maio 2024. -
APA
Teles, L. K. (1997). Propriedades estruturais e eletrônicas de nitretos do grupo III (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Teles LK. Propriedades estruturais e eletrônicas de nitretos do grupo III. 1997 ;[citado 2024 maio 03 ] -
Vancouver
Teles LK. Propriedades estruturais e eletrônicas de nitretos do grupo III. 1997 ;[citado 2024 maio 03 ]
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