Density Functional theory for Holes in Semiconductors (1997)
- Authors:
- USP affiliated authors: SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/physrevlett.79.3712
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: Physical Review Letters
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 79, n. 19, p. 3712-3715, 1997
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ENDERLEIN, R et al. Density Functional theory for Holes in Semiconductors. Physical Review Letters, v. 79, n. 19, p. 3712-3715, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevlett.79.3712. Acesso em: 12 maio 2024. -
APA
Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1997). Density Functional theory for Holes in Semiconductors. Physical Review Letters, 79( 19), 3712-3715. doi:10.1103/physrevlett.79.3712 -
NLM
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Density Functional theory for Holes in Semiconductors [Internet]. Physical Review Letters. 1997 ; 79( 19): 3712-3715.[citado 2024 maio 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevlett.79.3712 -
Vancouver
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Density Functional theory for Holes in Semiconductors [Internet]. Physical Review Letters. 1997 ; 79( 19): 3712-3715.[citado 2024 maio 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevlett.79.3712 - Density functional theory for holes in semiconductors - replay
- First principles studies of point defects and impurities in cubic boron nitride
- Cálculo de primeiros princípios de defeitos nativos e impurezas em nitreto de boro cúbico
- Dopagem delta em super-redes semicondutoras submetidas a campos magnéticos
- Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores
- Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'
- Band structure of p-gama- doping structures in 'GA''AS'
- Band structure of holes in 'P-TYPE''GAMA-DOPING' quantum wells and superlattices
- Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study
- Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields
Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevlett.79.3712 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas