Electronic properties, C-V and transconductance measurements of strained heterostructure MODFETs (1998)
- Authors:
- Autor USP: ROMERO, MURILO ARAUJO - EESC
- Unidade: EESC
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Física
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1998
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
MANZOLI, José Eduardo e ROMERO, Murilo Araújo e HIPÓLITO, Oscar. Electronic properties, C-V and transconductance measurements of strained heterostructure MODFETs. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 08 maio 2024. -
APA
Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Hipólito, O. (1998). Electronic properties, C-V and transconductance measurements of strained heterostructure MODFETs. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. -
NLM
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Electronic properties, C-V and transconductance measurements of strained heterostructure MODFETs. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 08 ] -
Vancouver
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Electronic properties, C-V and transconductance measurements of strained heterostructure MODFETs. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 08 ] - Analysis of a proposed dropping filter for WDM systems
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