Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots (1998)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Física
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1998
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 04 maio 2024. -
APA
Pusep, Y. A., Zanelatto, G., Galzerani, J. C., Silva, S. W., Gonzales-Borrero, P. P., Basmaji, P., & Toropov, A. I. (1998). Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. -
NLM
Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, Silva SW, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P, Toropov AI. Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 04 ] -
Vancouver
Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, Silva SW, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P, Toropov AI. Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 04 ] - Raman scattering of the optical '('GA''AS') IND. n'/ '('AL''AS') IND. n' superlattices grown on (311)A and (311)B surface
- Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs
- Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures
- Raman study of interface arrangement in 'GA''AS' / 'AL''AS' superlattices grown in different crystal directions
- Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso
- Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy
- Propriedades opticas de filmes 'GA''AS' crescidos a baixa temperatura por mbe
- Transition of aharonov-bohm oscillations from hc / e to hc/2e periodicity induced by magnetic field in the array of rings with small diameter
- Nano-scale wires of 'GA''AS ON POROUS 'si' grown by molecular beam epitaxy
- Movpe growth and characterization of 'GA''AS' and 'GA''AL''AS' on 'SI'
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas