On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s (1998)
- Authors:
- USP affiliated authors: ROMERO, MURILO ARAUJO - EESC ; HIPOLITO, OSCAR - IFSC
- Unidades: EESC; IFSC
- DOI: 10.1109/3.736099
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: IEEE Journal of Quantum Electronics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 34, n. 12, p. 2314-2320, 1998
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MANZOLI, José Eduardo e ROMERO, Murilo Araujo e HIPÓLITO, Oscar. On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s. IEEE Journal of Quantum Electronics, v. 34, n. 12, p. 2314-2320, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/3.736099. Acesso em: 01 maio 2024. -
APA
Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Hipólito, O. (1998). On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s. IEEE Journal of Quantum Electronics, 34( 12), 2314-2320. doi:10.1109/3.736099 -
NLM
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s [Internet]. IEEE Journal of Quantum Electronics. 1998 ; 34( 12): 2314-2320.[citado 2024 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1109/3.736099 -
Vancouver
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s [Internet]. IEEE Journal of Quantum Electronics. 1998 ; 34( 12): 2314-2320.[citado 2024 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1109/3.736099 - Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure MODFETs
- Characteristics and electronic structure of pHEMT/InP (presence of strain and 'delta'-doped channel.)
- Stress-related effects on the C-V characteristics of pseudomorphic MODFETs
- Características e estrutura eletrônica de HEMT pseudomórfica (presença de strain e canal 'delta' dopado)
- Density of states of on-axis hydrogenic impurities in a 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' quantum-well wire of circular cross section
- Espectro de perda de energia de eletrons de um sistema semicondutor de dupla camada
- Impurity-bound magnetopolaron in 'GA''AS' quantum well structures
- Shallow donor impurity in quantum wire in the presence of a magnetic field
- Ground- and excited-state impurity bands in silicon inversion layers
- Magnetic field effects on impurity states in quantum dots
Informações sobre o DOI: 10.1109/3.736099 (Fonte: oaDOI API)
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