Pseudomorphic InxGal -xAs/InO.52Al0.48As modulation doped heterostructures grown by LP-MOVPE (1998)
- Authors:
- Autor USP: HENRIQUES, ANDRE BOHOMOLETZ - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1049/el:19981251
- Assunto: ENGENHARIA MECÂNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Electronics Letters
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 34, n. 22, p. 2173-2174, 1998
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
PEREIRA, R G et al. Pseudomorphic InxGal -xAs/InO.52Al0.48As modulation doped heterostructures grown by LP-MOVPE. Electronics Letters, v. 34, n. 22, p. 2173-2174, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1049/el:19981251. Acesso em: 15 maio 2024. -
APA
Pereira, R. G., Yavich, B., Gonçalves, L. C. D., Souza, P. L., & Henriques, A. B. (1998). Pseudomorphic InxGal -xAs/InO.52Al0.48As modulation doped heterostructures grown by LP-MOVPE. Electronics Letters, 34( 22), 2173-2174. doi:10.1049/el:19981251 -
NLM
Pereira RG, Yavich B, Gonçalves LCD, Souza PL, Henriques AB. Pseudomorphic InxGal -xAs/InO.52Al0.48As modulation doped heterostructures grown by LP-MOVPE [Internet]. Electronics Letters. 1998 ; 34( 22): 2173-2174.[citado 2024 maio 15 ] Available from: https://doi.org/10.1049/el:19981251 -
Vancouver
Pereira RG, Yavich B, Gonçalves LCD, Souza PL, Henriques AB. Pseudomorphic InxGal -xAs/InO.52Al0.48As modulation doped heterostructures grown by LP-MOVPE [Internet]. Electronics Letters. 1998 ; 34( 22): 2173-2174.[citado 2024 maio 15 ] Available from: https://doi.org/10.1049/el:19981251 - Theoretical investigation of the photoluminescence and fermi surface of periodically delta-dopped 'GA''AS'
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Informações sobre o DOI: 10.1049/el:19981251 (Fonte: oaDOI API)
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