Leakage drain current behavior in an accumulation mode SOI p-channel MOSFET operating at high temperatures (1999)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/1.1390831
- Assunto: ELETROQUÍMICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Pennington
- Date published: 1999
- Source:
- Título do periódico: Electrochemical and Solid State Letters
- ISSN: 1099-0062
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 2, n. 7, p. 345-346, 1999
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Leakage drain current behavior in an accumulation mode SOI p-channel MOSFET operating at high temperatures. Electrochemical and Solid State Letters, v. 2, n. 7, p. 345-346, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.1390831. Acesso em: 11 jun. 2024. -
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1999). Leakage drain current behavior in an accumulation mode SOI p-channel MOSFET operating at high temperatures. Electrochemical and Solid State Letters, 2( 7), 345-346. doi:10.1149/1.1390831 -
NLM
Bellodi M, Martino JA. Leakage drain current behavior in an accumulation mode SOI p-channel MOSFET operating at high temperatures [Internet]. Electrochemical and Solid State Letters. 1999 ; 2( 7): 345-346.[citado 2024 jun. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.1390831 -
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Leakage drain current behavior in an accumulation mode SOI p-channel MOSFET operating at high temperatures [Internet]. Electrochemical and Solid State Letters. 1999 ; 2( 7): 345-346.[citado 2024 jun. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.1390831 - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
- Projeto de processos de fabricação avançados aplicáveis nas tecnologias CMOS micrométricas
- Analysis of the linear kink effect in partially depleted SOI nMOSFETs
- Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K
- Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77K
- Low temperature and channel engineering influence on harmonic distortion of soi nmosfets for analog applications
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Informações sobre o DOI: 10.1149/1.1390831 (Fonte: oaDOI API)
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