Caracterização de super-redes InP/InGaAs dopadas com Si (1999)
- Autores:
- Autor USP: HENRIQUES, ANDRE BOHOMOLETZ - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Resumos
- Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
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ABNT
HANAMOTO, Luciana Kazumi et al. Caracterização de super-redes InP/InGaAs dopadas com Si. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 16 maio 2024. -
APA
Hanamoto, L. K., Henriques, A. B., Souza, P. L., Gonçalves, L. C. D., & Yavich, B. (1999). Caracterização de super-redes InP/InGaAs dopadas com Si. In Resumos. São Paulo: SBF. -
NLM
Hanamoto LK, Henriques AB, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. Caracterização de super-redes InP/InGaAs dopadas com Si. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 16 ] -
Vancouver
Hanamoto LK, Henriques AB, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. Caracterização de super-redes InP/InGaAs dopadas com Si. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 16 ] - Theoretical investigation of the photoluminescence and fermi surface of periodically delta-dopped 'GA''AS'
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