Obtenção do silício poroso em áreas seletivas (2000)
- Autores:
- Autor USP: GALEAZZO, ELISABETE - EP
- Unidade: EP
- Assunto: MATERIAIS ELETRÔNICOS
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: SICUSP : Resumos
- Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da USP
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ABNT
DANTAS, Michel Oliveira da Silva e GALEAZZO, Elisabete. Obtenção do silício poroso em áreas seletivas. 2000, Anais.. São Paulo: USP, 2000. . Acesso em: 15 maio 2024. -
APA
Dantas, M. O. da S., & Galeazzo, E. (2000). Obtenção do silício poroso em áreas seletivas. In SICUSP : Resumos. São Paulo: USP. -
NLM
Dantas MO da S, Galeazzo E. Obtenção do silício poroso em áreas seletivas. SICUSP : Resumos. 2000 ;[citado 2024 maio 15 ] -
Vancouver
Dantas MO da S, Galeazzo E. Obtenção do silício poroso em áreas seletivas. SICUSP : Resumos. 2000 ;[citado 2024 maio 15 ] - Sensores de campo magnetico compativeis com circuitos integrados
- A influência de processos químicos após a formação de silício poroso. (também em CD-Rom)
- Caracterização das ligações químicas superficiais do silício poroso por FTIR
- A influência de parâmetros de formação do silício poroso na resposta luminescente
- Silício poroso para aplicações em sensores e microssistemas
- Magneto-sensor diferencial
- Analysis of porous silicon devices for gas sensors
- Silicon micromechanical structures fabricated by electrochemical process
- Sensibilidade versus linearizacao em sensores de campo magnetico integraveis
- The influence of chemical species on photoluminescence of porous silicon. (em CD-Rom)
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