Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects

Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects (2001)

Authors:
Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
Unidade: IF
DOI: 10.1016/s0921-4526(01)00743-8
Subjects: FILMES FINOS; MUDANÇA DE FASE; MATÉRIA CONDENSADA
Language: Inglês
Imprenta:
- Publisher place: Amsterdam
- Date published: 2001
Source:
- Título do periódico: Physica B
- ISSN: 0921-4526
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 308, p. 470-473, 2001

Informações sobre o DOI: 10.1016/s0921-4526(01)00743-8 (Fonte: oaDOI API)

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ABNT

ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects. Physica B, v. 308, p. 470-473, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8. Acesso em: 13 maio 2024.
APA

Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects. Physica B, 308, 470-473. doi:10.1016/s0921-4526(01)00743-8
NLM

Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 470-473.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8
Vancouver

Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 470-473.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8