Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) (2002)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.1494456
- Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA; MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Applied Physics Letters
- ISSN: 0003-6951
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 81, n. 3, p. 481-483, 2002
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110). Applied Physics Letters, v. 81, n. 3, p. 481-483, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1494456. Acesso em: 04 maio 2024. -
APA
Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2002). Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110). Applied Physics Letters, 81( 3), 481-483. doi:10.1063/1.1494456 -
NLM
Miotto R, Ferraz AC. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 3): 481-483.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1494456 -
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 3): 481-483.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1494456 - Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods
- Interface geometry of ' ('ga''as') IND.N'' ('in''as') IND.N' and ' ('ga'P) IND.N'' ('in'P) IND.N' ultra-thin superlattices
- Electronic properties and stability of [001] 'GA''AS' / 'IN''AS', 'GA'p / 'IN'p,'GA IND.1-X''IN IND.X''AS' / 'GA''AS' ('IN''AS') and 'GA IND.1-X''IN IND.X'p / 'GA'p ('IN'p)
- Entalpia de formacao e estrutura eletronica de super-redes ultrafinas de iii-v / iv
- Estudo de pseudopotenciais de primeiros principios e sua aplicacao em semicondutores ii-vi
- Estados eletronicos e estrutura atomica da interface znse / znte (001)
- Estudo teorico da acao surfactante do 'TE' no crescimento de 'IN''AS': 'GA''AS'
- Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface
- Oxygen adsorption on CdTe(110)
- Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs
Informações sobre o DOI: 10.1063/1.1494456 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
