LED de GaAs dopado somente com Si, com pontos quânticos na interface (2002)
- Authors:
- Autor USP: MAREGA JUNIOR, EUCLYDES - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATERIAIS (PROPRIEDADES FÍSICAS); SILÍCIO
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: IFSC/EESC/IQSC-USP
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2002
- Source:
- Título do periódico: Resumos estendidos
- Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM
-
ABNT
ALVES, M A et al. LED de GaAs dopado somente com Si, com pontos quânticos na interface. 2002, Anais.. São Carlos: IFSC/EESC/IQSC-USP, 2002. . Acesso em: 25 maio 2024. -
APA
Alves, M. A., Semenzato, M. J., Marega Júnior, E., & González-Borrero, P. P. (2002). LED de GaAs dopado somente com Si, com pontos quânticos na interface. In Resumos estendidos. São Carlos: IFSC/EESC/IQSC-USP. -
NLM
Alves MA, Semenzato MJ, Marega Júnior E, González-Borrero PP. LED de GaAs dopado somente com Si, com pontos quânticos na interface. Resumos estendidos. 2002 ;[citado 2024 maio 25 ] -
Vancouver
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