Análise de espectros de aniquilação de pósitrons - estudo das estruturas eletrônicas do Al e Si (2004)
- Authors:
- Autor USP: NASCIMENTO, EDUARDO DO - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FEP
- Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA; ESPECTROSCOPIA DE RAIO GAMA
- Language: Português
- Abstract: Os perfis da radiação de aniquilação em alumínio e em silício dos pósitrons obtidos de uma fonte de 'ANTPOT. 22 Na' foram observados em um arranjo composto por dois detectores Ge em coincidência. Os espectros de coincidênias gama foram ajustados usando uma função modelo. Foram observadas componentes da aniquilação de pósitrons em repouso com elétrons da banda de condução, com os elétrons das camadas 1s, 2s e 2p e as energias de ligação dos elétrons no caso do alumínio. Para o silício, foram observados componentes da aniquilação de pósitrons em repouso com elétrons da banda de condução e das camadas 1s, 2s, 2p, 3s e 3p. As aniquilações de pósitrons em vôo também foram observadas. Foram incluídos também no ajuste a função resposta dos detectores, correções de eficiências relativas dos detectores, Comptons múltiplos (retroespalhados) e coincidências que envolvem combinações de fenômenos fotoelétricos, Comptons, empilhamentos , déficit balístico e problemas de formação de pulsos. No caso do alumínio, os resultados obtidos para as energias de ligação foram 0,0699 (89) keV, 0,123 (54) keV e 1,45 (13) keV para as camadas 2p, 2s e 1s, respectivamente. Os momentos de Fermi obtidos, neste caso, foram 6,820 (8) , 10,87 (9) e 16,24 (11), em unidadaes de '10 POT. -3' 'm IND. 0'c. As porcentagens das intensidades de aniquilações foram 0,0145(25), 2,6(12), 5,42(32) e 91,9(13) nas camadas 1s, 2s, 2p e na banda de condução, respectivamente. No caso do silício, os resultados obtidospara as porentagens das intensidades de aniquilações foram 0,00476 (12) , 0,790 (48), 3,33 (11), 3,4, 3,31 (51) e 89,11 (61) nas camadas 1s, 2s, 2p, 3s, 3p e na banda de condução, respectivamente. Para o ajuste do alumínio obteve-se um ''X POT. 2' IND. red' igual a 1,1 para 62448 graus de liberdade e para o ajuste do silício obteve-se um ''X POT. 2' IND. red' igual a 1,4, para 249951 graus de liberdade
- Imprenta:
- Data da defesa: 26.04.2004
-
ABNT
NASCIMENTO, Eduardo do. Análise de espectros de aniquilação de pósitrons - estudo das estruturas eletrônicas do Al e Si. 2004. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 21 maio 2024. -
APA
Nascimento, E. do. (2004). Análise de espectros de aniquilação de pósitrons - estudo das estruturas eletrônicas do Al e Si (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Nascimento E do. Análise de espectros de aniquilação de pósitrons - estudo das estruturas eletrônicas do Al e Si. 2004 ;[citado 2024 maio 21 ] -
Vancouver
Nascimento E do. Análise de espectros de aniquilação de pósitrons - estudo das estruturas eletrônicas do Al e Si. 2004 ;[citado 2024 maio 21 ]
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
