Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77K (1996)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III
- ISSN: 0036-827X
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.6, avril 1996
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ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley et al. Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77K. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III, v. 6, 1996Tradução . . Acesso em: 12 maio 2024. -
APA
Nicolett, A. S., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (1996). Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77K. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III, 6. -
NLM
Nicolett AS, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77K. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III. 1996 ;6[citado 2024 maio 12 ] -
Vancouver
Nicolett AS, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77K. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III. 1996 ;6[citado 2024 maio 12 ] - The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C
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