First-principles investigation of functionalization-defects on silicon surfaces (2006)
- Authors:
- Autor USP: CALDAS, MARILIA JUNQUEIRA - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.susc.2006.01.099
- Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA; QUÍMICA; FÍSICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Surface Science
- ISSN: 0039-6028
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 600, n. 18, p. 3892-3897, 2006
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
CUCINOTTA, C S et al. First-principles investigation of functionalization-defects on silicon surfaces. Surface Science, v. 600, n. 18, p. 3892-3897, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2006.01.099. Acesso em: 15 maio 2024. -
APA
Cucinotta, C. S., Bonferroni, B., Ferretti, A., Ruini, A., Caldas, M. J., & Molinari, E. (2006). First-principles investigation of functionalization-defects on silicon surfaces. Surface Science, 600( 18), 3892-3897. doi:10.1016/j.susc.2006.01.099 -
NLM
Cucinotta CS, Bonferroni B, Ferretti A, Ruini A, Caldas MJ, Molinari E. First-principles investigation of functionalization-defects on silicon surfaces [Internet]. Surface Science. 2006 ; 600( 18): 3892-3897.[citado 2024 maio 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2006.01.099 -
Vancouver
Cucinotta CS, Bonferroni B, Ferretti A, Ruini A, Caldas MJ, Molinari E. First-principles investigation of functionalization-defects on silicon surfaces [Internet]. Surface Science. 2006 ; 600( 18): 3892-3897.[citado 2024 maio 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2006.01.099 - Caracteristicas da estrutura e da circulacao das aguas da plataforma continental entre cabo frio e ilha de santa catarina em janeiro de 1968
- Determinacao do processo de polimerizacao da quinona catecol
- Electronic structure of catechol melanins
- Transient surface defects in Si-H nanoparticles
- Estudo da estrutura eletrônica de cadeias associadas com eumelaninas
- Study of the diamond crystal by semiempirical methods
- Teoria de niveis profundos em silicio
- Finite-temperature behavior of PPP and PPV chains from first-principles: torsion angle dynamics and phonons
- Dependência do Gap com a temperatura em PPP e PPV
- Eletronic transport in guanine stacks
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.susc.2006.01.099 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas