Study of the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating at high temperatures (2004)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.29292/jics.v1i2.261
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Journal Integrated Circuits and Systems
- ISSN: 1807-1953
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.1, n.2, p.31-35, June 2004
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
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ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Study of the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating at high temperatures. Journal Integrated Circuits and Systems, v. 1, n. 2, p. 31-35, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v1i2.261. Acesso em: 28 abr. 2024. -
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (2004). Study of the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating at high temperatures. Journal Integrated Circuits and Systems, 1( 2), 31-35. doi:10.29292/jics.v1i2.261 -
NLM
Bellodi M, Martino JA. Study of the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating at high temperatures [Internet]. Journal Integrated Circuits and Systems. 2004 ;1( 2): 31-35.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v1i2.261 -
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Study of the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating at high temperatures [Internet]. Journal Integrated Circuits and Systems. 2004 ;1( 2): 31-35.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v1i2.261 - The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C
- Comparison between the leakage drain current behavior in SOI nMOSFETs and SOI nMOSFETs operating at 300 o. C
- Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
- Components of the leakage drain current in accumulation-mode SOI pMOSFETs at high temperatures
- A novel simple method to extract the effective LDD doping concentration on fully depleted SOI NMOSFET
- The graded-channel SOI NMOSFET and its potential to analog applications
- CPU didática. (também em CD-Rom)
- Optimization of the twin gate SOI MOSFET
- Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)
- Improved channel lenght and series resistance extraction for short-channel MOSFETs suffering from mobility degradation
Informações sobre o DOI: 10.29292/jics.v1i2.261 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
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