Photoinduced effect in Ga-Ge-S based thin films (2006)
- Authors:
- Autor USP: LI, MAXIMO SIU - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: ÓPTICA; FILMES FINOS; ESPECTROSCOPIA ULTRAVIOLETA; TEMPERATURA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Applied Surface Science
- ISSN: 0169-4332
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 252, n. 24, p. 8738-8744, Oct. 2006
-
ABNT
MESSADDEQ, Sandra Helena et al. Photoinduced effect in Ga-Ge-S based thin films. Applied Surface Science, v. 252, n. 24, p. 8738-8744, 2006Tradução . . Acesso em: 12 maio 2024. -
APA
Messaddeq, S. H., Siu Li, M., Inoue, S., Ribeiro, S. J. L., & Messaddeq, Y. (2006). Photoinduced effect in Ga-Ge-S based thin films. Applied Surface Science, 252( 24), 8738-8744. -
NLM
Messaddeq SH, Siu Li M, Inoue S, Ribeiro SJL, Messaddeq Y. Photoinduced effect in Ga-Ge-S based thin films. Applied Surface Science. 2006 ; 252( 24): 8738-8744.[citado 2024 maio 12 ] -
Vancouver
Messaddeq SH, Siu Li M, Inoue S, Ribeiro SJL, Messaddeq Y. Photoinduced effect in Ga-Ge-S based thin films. Applied Surface Science. 2006 ; 252( 24): 8738-8744.[citado 2024 maio 12 ] - Caracterizacao de um laser de centro de cor utilizando como meio ativo um cristal de KCl + 1% LiCl Com Centros 'F IND. A'(II)
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