Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais (1989)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Microeletrônica
- Publisher place: Porto Alegre
- Date published: 1989
- Source:
- Título do periódico: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica
-
ABNT
MARTINO, João Antonio e SWART, Jacobus Willibrordus. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1989. . Acesso em: 27 abr. 2024. -
APA
Martino, J. A., & Swart, J. W. (1989). Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais. In Anais. Porto Alegre: Sociedade Brasileira de Microeletrônica. -
NLM
Martino JA, Swart JW. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais. Anais. 1989 ;[citado 2024 abr. 27 ] -
Vancouver
Martino JA, Swart JW. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais. Anais. 1989 ;[citado 2024 abr. 27 ] - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
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