Estudo do mecanismo de deposição de filmes finos de nitreto de carbono preparados com o sistema de deposição assistida por feixe de íons (2007)
- Authors:
- Autor USP: MAMANI, WILMER ALEXE SUCASAIRE - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FNC
- Subjects: FILMES FINOS; ESPECTROSCOPIA RAMAN; ESPECTROSCOPIA INFRAVERMELHA
- Language: Português
- Abstract: Filmes finos de `CN IND.x´ foram depositados em temperatura ambiente, 350, 400, 500 `GRAUS´ C, por deposição a vapor de carbono sobre os substratos de Si(100) ou Si(111) com irradiação simultânea por íons derivado de gás `N IND.2´ ou de mistura gasosa Ar-`N IND.2´. A energia de íons variou de 150 a 600 eV e a razão de chegada, R(I/A), definida pela razão do fluxo de íons de nitrogênio incidentes relativa ao fluxo de átomos de carbono transportados ao substrato, foi de 1,02,5. A pressão de gás na câmara de vácuo foi mantida a 1,6 ×`10 POT.-2´ Pa durante o processo de deposição. A taxa de deposição dos filmes foi governada pelo sputtering químico. O rendimento de sputtering químico por íons de nitrogênio foi praticamente independente da energia de íons utilizada, enquanto que o rendimento de sputtering químico por íons de Ar e nitrogênio foi dependente da energia de íons devido ao efeito multiplicativo dos íons. Os espectros Raman medidos mostraram dois picos em torno de 1350 e 1560 `cm POT.-1´, chamados do pico D e do G, respectivamente, e foram analisados em termos de: posição e largura do pico G, e razão das intensidades `I IND.D´/`I IND.G´. Os comportamentos destes parâmetros obtidos em função de R(I/A) foram explicados razoavelmente através do modelo de três estágios, sugerido por Ferrari et al., levando em consideração uma transição da fase característica de grafite a de fulereno, na qual a incorporação suficiente de nitrogênio em camadas grafíticas promove aformaao de anéis pentagonais que pode induzir o enrugamento em camadas, facilitando ligaçoes entre as camadas através de átomos de carbono hibridizados de `sp POT.3´. Um indício da ocorrência desta transição pode ser visto nos difratogramas de raios X dos filmes correspondentes. Neste contexto, os espectros Raman e de XPS dos filmes de `CN IND.x´ depositados previamente com o método RF magnetron sputtering reativo foram analisados e explicados ) consistentemente, levando-se em consideração a concentração de nitrogênio nos filmes
- Imprenta:
- Data da defesa: 31.08.2007
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ABNT
MAMANI, Wilmer Alexe Sucasaire. Estudo do mecanismo de deposição de filmes finos de nitreto de carbono preparados com o sistema de deposição assistida por feixe de íons. 2007. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28022008-100214/. Acesso em: 30 abr. 2024. -
APA
Mamani, W. A. S. (2007). Estudo do mecanismo de deposição de filmes finos de nitreto de carbono preparados com o sistema de deposição assistida por feixe de íons (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28022008-100214/ -
NLM
Mamani WAS. Estudo do mecanismo de deposição de filmes finos de nitreto de carbono preparados com o sistema de deposição assistida por feixe de íons [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28022008-100214/ -
Vancouver
Mamani WAS. Estudo do mecanismo de deposição de filmes finos de nitreto de carbono preparados com o sistema de deposição assistida por feixe de íons [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28022008-100214/
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