Caracterização de filmes finos de óxido de silício depositados em um reator HD-PECVD a partir de TEOS a ultra baixa temperatura (2007)
- Authors:
- Autor USP: ROCHA, OTÁVIO FILIPE DA - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PSI
- Subjects: FILMES FINOS; PLASMA (MICROELETRÔNICA); PROCESSOS DE MICROELETRÔNICA
- Language: Português
- Abstract: Este trabalho reporta o estudo e desenvolvimento do processo de deposição química a vapor enriquecida por plasma de alta densidade de filmes finos de óxido de silício obtidos em ultra baixa temperatura, inferior a 100°C, tendo como fonte de silício o vapor de TEOS. O principal objetivo deste trabalho é, além da obtenção de filmes de óxido de silício com propriedades elétricas adequadas para utilização em TFTs, compreender os fenômenos que regem o processo de deposição química sob um plasma de alta densidade a partir da caracterização estrutural e elétrica de filmes depositados sob diferentes condições de processo, de modo a poder-se controlar as propriedades dos materiais obtidos. As técnicas de análise empregadas para a caracterização das amostras foram: elipsometria, FTIRS, RBS, curvas de taxa de deposição e corrosão, curvas capacitância versus tensão de alta freqüência, curvas corrente elétrica versus tensão. Os principais resultados obtidos através da caracterização elétrica de capacitores MOS com área 9 x 10⁻⁴ cm-², construídos a partir dos filmes de SiOx depositados, são: VFB = -3,94 V; eOX = 3,92; Qss/q = 6,08.10¹¹ cm-²; EBD = 9,44 MV/cm e JLK = 2,50.10⁻⁷ A/cm-² @ 4 MV/cm.
- Imprenta:
- Data da defesa: 24.08.2007
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ABNT
ROCHA, Otávio Filipe da. Caracterização de filmes finos de óxido de silício depositados em um reator HD-PECVD a partir de TEOS a ultra baixa temperatura. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-142809/. Acesso em: 11 jun. 2024. -
APA
Rocha, O. F. da. (2007). Caracterização de filmes finos de óxido de silício depositados em um reator HD-PECVD a partir de TEOS a ultra baixa temperatura (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-142809/ -
NLM
Rocha OF da. Caracterização de filmes finos de óxido de silício depositados em um reator HD-PECVD a partir de TEOS a ultra baixa temperatura [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-142809/ -
Vancouver
Rocha OF da. Caracterização de filmes finos de óxido de silício depositados em um reator HD-PECVD a partir de TEOS a ultra baixa temperatura [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-142809/
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