X-ray photoelectron spectroscopy analysis of zirconium nitride-like filmsprepared on Si(100) substrates by ion beam assisted deposition (2008)
- Authors:
- USP affiliated authors: MATSUOKA, MASAO - IF ; ISOTANI, SADAO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.surfcoat.2007.11.019
- Subjects: FILMES FINOS; ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Language: Inglês
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- Título do periódico: Surface and Coatings Technology
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MATSUOKA, Masao et al. X-ray photoelectron spectroscopy analysis of zirconium nitride-like filmsprepared on Si(100) substrates by ion beam assisted deposition. Surface and Coatings Technology, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2007.11.019. Acesso em: 28 abr. 2024. -
APA
Matsuoka, M., Isotani, S., Mamani, W. A. S., Kuratani, N., & Ogata, K. (2008). X-ray photoelectron spectroscopy analysis of zirconium nitride-like filmsprepared on Si(100) substrates by ion beam assisted deposition. Surface and Coatings Technology. doi:10.1016/j.surfcoat.2007.11.019 -
NLM
Matsuoka M, Isotani S, Mamani WAS, Kuratani N, Ogata K. X-ray photoelectron spectroscopy analysis of zirconium nitride-like filmsprepared on Si(100) substrates by ion beam assisted deposition [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2008 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2007.11.019 -
Vancouver
Matsuoka M, Isotani S, Mamani WAS, Kuratani N, Ogata K. X-ray photoelectron spectroscopy analysis of zirconium nitride-like filmsprepared on Si(100) substrates by ion beam assisted deposition [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2008 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2007.11.019 - Influence of ion energy and arrival rate on x-ray crystallographic properties of thin Zr'O IND.X' films prepared on Si(111) substrate by ion-beam assisted deposition
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.surfcoat.2007.11.019 (Fonte: oaDOI API)
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