Etching characteristics and surface morphology of nitrogen-doped a-SiC films prepared by RF magnetron sputtering (2008)
- Authors:
- USP affiliated authors: SANTOS FILHO, SEBASTIAO GOMES DOS - EP ; MACIEL, HOMERO SANTIAGO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/1.2956052
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: The Electrochemical Society
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2008
- Source:
- Título do periódico: SBMICRO 2008: Anais
- ISSN: 1938-5862
- Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
FRAGA, Mariana Amorim et al. Etching characteristics and surface morphology of nitrogen-doped a-SiC films prepared by RF magnetron sputtering. 2008, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2008. Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.2956052. Acesso em: 27 abr. 2024. -
APA
Fraga, M. A., Pessoa, R. S., Oliveira, I. C., Massi, M., Maciel, H. S., Martinho, H. S., et al. (2008). Etching characteristics and surface morphology of nitrogen-doped a-SiC films prepared by RF magnetron sputtering. In SBMICRO 2008: Anais. Pennington: The Electrochemical Society. doi:10.1149/1.2956052 -
NLM
Fraga MA, Pessoa RS, Oliveira IC, Massi M, Maciel HS, Martinho HS, Santos Filho SG dos, Marcuzzo JS. Etching characteristics and surface morphology of nitrogen-doped a-SiC films prepared by RF magnetron sputtering [Internet]. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.2956052 -
Vancouver
Fraga MA, Pessoa RS, Oliveira IC, Massi M, Maciel HS, Martinho HS, Santos Filho SG dos, Marcuzzo JS. Etching characteristics and surface morphology of nitrogen-doped a-SiC films prepared by RF magnetron sputtering [Internet]. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.2956052 - Estudo da influencia da potencia de rf aplicada ao catodo em filmes finos de titanio e cobalto depositados por sputtering
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Informações sobre o DOI: 10.1149/1.2956052 (Fonte: oaDOI API)
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