Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer (2010)
- Authors:
- USP affiliated authors: PEREYRA, INES - EP ; TORRES, KATIA FRANKLIN ALBERTIN - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1002/pssc.200982656
- Subjects: FILMES FINOS; SEMICONDUTORES; DIELÉTRICOS
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Physica Status Solidi (C)
- ISSN: 1610-1642
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 7, n. 3-4, p. 937-940, 2010
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e PEREYRA, Inés. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer. Physica Status Solidi (C), v. 7, n. 3-4, p. 937-940, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656. Acesso em: 30 abr. 2024. -
APA
Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2010). Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer. Physica Status Solidi (C), 7( 3-4), 937-940. doi:10.1002/pssc.200982656 -
NLM
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer [Internet]. Physica Status Solidi (C). 2010 ; 7( 3-4): 937-940.[citado 2024 abr. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656 -
Vancouver
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer [Internet]. Physica Status Solidi (C). 2010 ; 7( 3-4): 937-940.[citado 2024 abr. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656 - Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS
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Informações sobre o DOI: 10.1002/pssc.200982656 (Fonte: oaDOI API)
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