Thickness dependence of indium-tin oxide thin films deposited by RF magnetron sputtering (2010)
- Authors:
- USP affiliated authors: MANSANO, RONALDO DOMINGUES - EP ; DAMIANI, LARISSA RODRIGUES - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/1.3474149
- Assunto: ELETROQUÍMICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: New Jersey
- Date published: 2010
- Source:
- Título do periódico: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010
- ISSN: 1938-5862
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.31, n.1, p. 117-124, 2010
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
DAMIANI, Larissa Rodrigues e MANSANO, Ronaldo Domingues. Thickness dependence of indium-tin oxide thin films deposited by RF magnetron sputtering. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 117-124, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474149. Acesso em: 03 maio 2024. -
APA
Damiani, L. R., & Mansano, R. D. (2010). Thickness dependence of indium-tin oxide thin films deposited by RF magnetron sputtering. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 117-124. doi:10.1149/1.3474149 -
NLM
Damiani LR, Mansano RD. Thickness dependence of indium-tin oxide thin films deposited by RF magnetron sputtering [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 117-124.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474149 -
Vancouver
Damiani LR, Mansano RD. Thickness dependence of indium-tin oxide thin films deposited by RF magnetron sputtering [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 117-124.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474149 - Filmes de óxido de zinco e nitreto de zinco depositados por magnetron sputtering com diferentes pressões de argônio, oxigênio e nitrogênio
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Informações sobre o DOI: 10.1149/1.3474149 (Fonte: oaDOI API)
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