Estudo de materiais piezoelétricos da família III-V obtidos por sputtering reativo visando sua aplicação em sensores e MEMS (2010)
- Authors:
- Autor USP: PELEGRINI, MARCUS VINÍCIUS - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PSI
- Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA; MICROELETRÔNICA; PROCESSOS DE MICROELETRÔNICA; ATUADORES PIEZELÉTRICOS
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho apresentamos um estudo sobre a fabricação e caracterização físico-química de filmes finos de nitreto de alumínio (AlN) obtidos pela técnica de pulverização catódica reativa por rádio frequência (r.f sputtering) utilizando um alvo de alumínio puro. Visto que o AlN é um material que apresenta piezoeletricidade e compatibilidade com a tecnologia MOS, o objetivo principal desse trabalho é definir os parâmetros de processo que resultem em um material com propriedades adequadas para sua utilização como elemento atuador e/ou sensor em sistemas micro eletromecânicos (MEMS). O estudo da influência dos parâmetros de processo foi realizado em três etapas. Na primeira realizamos um estudo preliminar sobre a influência da pressão de processo e potência de r.f. Na segunda etapa realizamos um estudo sobre a influência da relação entre o gás reativo (N2) e o pulverizante (Ar) nas características físico-químicas do material. Finalmente estudamos o efeito da temperatura de deposição nas características do filme que apresentou as propriedades mais propícias para aplicações em MEMS. Propriedades como índice de refração, composição química e stress residual não apresentaram grandes variações com a mudança da composição gasosa da atmosfera de deposição, no entanto, os resultados de difração de raios-X nos mostraram que os filmes obtidos com 30% de N2 possuem maior cristalização na direção que apresenta maior piezoeletricidade, sendo assim, mais favorável para ser utilizado como sensor/atuador na fabricação de MEMS. No estudo sobre o efeito da temperatura de deposição verificamos que o filme crescido a 250°C apresentou as melhores propriedades para as aplicações em MEMS desejadas.Finalmente na caracterização da constante piezoelétrica de carga, a qual foi realizada por um método indireto, utilizando capacitores de placas paralelas utilizando o AlN como dielétrico, obtivemos um coeficiente piezoelétrico de carga d33 de 0,5 pm/V.
- Imprenta:
- Data da defesa: 18.08.2010
-
ABNT
PELEGRINI, Marcus Vinícius. Estudo de materiais piezoelétricos da família III-V obtidos por sputtering reativo visando sua aplicação em sensores e MEMS. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102010-102150/. Acesso em: 16 maio 2024. -
APA
Pelegrini, M. V. (2010). Estudo de materiais piezoelétricos da família III-V obtidos por sputtering reativo visando sua aplicação em sensores e MEMS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102010-102150/ -
NLM
Pelegrini MV. Estudo de materiais piezoelétricos da família III-V obtidos por sputtering reativo visando sua aplicação em sensores e MEMS [Internet]. 2010 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102010-102150/ -
Vancouver
Pelegrini MV. Estudo de materiais piezoelétricos da família III-V obtidos por sputtering reativo visando sua aplicação em sensores e MEMS [Internet]. 2010 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102010-102150/ - Deposição e caracterização de filmes de titanato de estrôncio e bário (Ba0,5Sr0,5(TiO3)) visando a sua utilização na fabricação de defasadores variáveis operando em 60 GHZ
- Deposition and characterization of AlN thin films obtained by radio frequency reactive magnetron sputtering1
- Deposition and characterization of AlN thin films obtained by radio frequency reactive magnetron sputtering
- Fabrication and characterization of aluminum nitride pedestal-type optical waveguide
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
