Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder (2010)
- Authors:
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.jlumin.2009.10.013
- Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: JournalofLuminescence
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.130, n.3, 2010
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
LOPES, E M et al. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder. JournalofLuminescence, v. 130, n. 3, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013. Acesso em: 13 maio 2024. -
APA
Lopes, E. M., Duarte, J. L., Poças, L. C., Dias, I. F. L., Laureto, E., Quivy, A. A., & Lamas, T. E. (2010). Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder. JournalofLuminescence, 130( 3). doi:10.1016/j.jlumin.2009.10.013 -
NLM
Lopes EM, Duarte JL, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Quivy AA, Lamas TE. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder [Internet]. JournalofLuminescence. 2010 ;130( 3):[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013 -
Vancouver
Lopes EM, Duarte JL, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Quivy AA, Lamas TE. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder [Internet]. JournalofLuminescence. 2010 ;130( 3):[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013 - Microscopio de tunelamento a ser usado no ar, no vacuo e no helio liquido
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.jlumin.2009.10.013 (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 | 1-s2.0-S0022231309005237-... |
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