Palestra 3 - Processos magneto-ópticos ultra-rápidos: manipulação óptica do spin do elétron (2012)
- Autor:
- Autor USP: HENRIQUES, ANDRE BOHOMOLETZ - IF
- Unidade: IF
- Subjects: MAGNETISMO; ÓPTICA; SPIN
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Instituto de Física
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 2012
- Source:
- Título do periódico: Resumo
- Conference titles: Curso de Verão
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz. Palestra 3 - Processos magneto-ópticos ultra-rápidos: manipulação óptica do spin do elétron. 2012, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, 2012. Disponível em: http://web.if.usp.br/pesquisa/node/330. Acesso em: 02 maio 2024. -
APA
Henriques, A. B. (2012). Palestra 3 - Processos magneto-ópticos ultra-rápidos: manipulação óptica do spin do elétron. In Resumo. São Paulo: Instituto de Física. Recuperado de http://web.if.usp.br/pesquisa/node/330 -
NLM
Henriques AB. Palestra 3 - Processos magneto-ópticos ultra-rápidos: manipulação óptica do spin do elétron [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 maio 02 ] Available from: http://web.if.usp.br/pesquisa/node/330 -
Vancouver
Henriques AB. Palestra 3 - Processos magneto-ópticos ultra-rápidos: manipulação óptica do spin do elétron [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 maio 02 ] Available from: http://web.if.usp.br/pesquisa/node/330 - Theoretical investigation of the photoluminescence and fermi surface of periodically delta-dopped 'GA''AS'
- Magneto-optical studies of screened excitons in 'GA''AS' / 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' modulation doped quantum wells
- Analise espectral de processos magneto-oscilatorios
- Quantum and transport mobilities in 'DELTA'-doped semiconductors
- Magnetic quantum effects in degenerate superlattices
- High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices
- Optical investigation of magnetic phases in epitaxial 'EU''SE'
- Pseudomorphic InxGal -xAs/InO.52Al0.48As modulation doped heterostructures grown by LP-MOVPE
- Carbon delta-doped AlGaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy
- InP/InGaAs doped quantum barrier systems
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