Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator (2013)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1088/0953-8984/25/44/445003
- Subjects: SEMICONDUTORES; MAGNETISMO
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 25, n. 44, p. 445003, nov. 2013
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SCHMIDT, Tome M. e MIWA, R. H. e FAZZIO, Adalberto. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. no 2013, n. 44, p. 445003, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003. Acesso em: 21 maio 2024. -
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2013). Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, no 2013( 44), 445003. doi:10.1088/0953-8984/25/44/445003 -
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2013 ; no 2013( 44): 445003.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003 -
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2013 ; no 2013( 44): 445003.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003 - Estrutura eletronica do yb substitucional do gap
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Informações sobre o DOI: 10.1088/0953-8984/25/44/445003 (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
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 | Schmidt_2013_J._Phys.__Co... | Direct link |
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