Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende

Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende (2014)

Authors:
Autor USP: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC
Unidade: IFSC
Subjects: BLENDAS; ZINCO; MATÉRIA CONDENSADA
Language: Português
Imprenta:
- Publisher: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2014
ISBN: 9788561958091
Source:
- Título do periódico: Livro de Resumos
Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC

A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

ABNT

BASTOS, C. M. O. et al. Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende. 2014, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2014. . Acesso em: 28 abr. 2024.
APA

Bastos, C. M. O., Faria Junior, P. E., Campos, T., & Sipahi, G. M. (2014). Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM

Bastos CMO, Faria Junior PE, Campos T, Sipahi GM. Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende. Livro de Resumos. 2014 ;[citado 2024 abr. 28 ]
Vancouver

Bastos CMO, Faria Junior PE, Campos T, Sipahi GM. Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende. Livro de Resumos. 2014 ;[citado 2024 abr. 28 ]