Deep level centers and their role in photoconductivity transients of InGaAs/GaAs quantum dot chains (2014)
- Authors:
- Autor USP: MAREGA JUNIOR, EUCLYDES - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1063/1.4902311
- Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA; POÇOS QUÂNTICOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: College Park
- Date published: 2014
- Source:
- Título do periódico: Journal of Applied Physics
- ISSN: 0021-8979
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 116, n. 19, p. 193707-1-193707-11, Nov. 2014
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
KONDRATENKO, S. V. et al. Deep level centers and their role in photoconductivity transients of InGaAs/GaAs quantum dot chains. Journal of Applied Physics, v. No 2014, n. 19, p. 193707-1-193707-11, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4902311. Acesso em: 26 abr. 2024. -
APA
Kondratenko, S. V., Vakulenko, O. V., Mazur, Y. I., Dorogan, V. G., Marega Júnior, E., Benamara, M., et al. (2014). Deep level centers and their role in photoconductivity transients of InGaAs/GaAs quantum dot chains. Journal of Applied Physics, No 2014( 19), 193707-1-193707-11. doi:10.1063/1.4902311 -
NLM
Kondratenko SV, Vakulenko OV, Mazur YI, Dorogan VG, Marega Júnior E, Benamara M, Ware ME, Salamo GJ. Deep level centers and their role in photoconductivity transients of InGaAs/GaAs quantum dot chains [Internet]. Journal of Applied Physics. 2014 ; No 2014( 19): 193707-1-193707-11.[citado 2024 abr. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4902311 -
Vancouver
Kondratenko SV, Vakulenko OV, Mazur YI, Dorogan VG, Marega Júnior E, Benamara M, Ware ME, Salamo GJ. Deep level centers and their role in photoconductivity transients of InGaAs/GaAs quantum dot chains [Internet]. Journal of Applied Physics. 2014 ; No 2014( 19): 193707-1-193707-11.[citado 2024 abr. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4902311 - Uma proposta curricular para o ensino de mecânica em cursos de licenciatura de matemática e biologia
- Eletronic properties of an aperiodic semiconductor heterostructure
- Estudo das propriedades fotocondutivas de semicondutores do grupo III-V crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular
- Xxv olimpiada internacional de fisica
- Caracterização das propriedades elétricas de junções PN comerciais com a temperatura para uso como sensores térmicos
- Broad-band photoresponse from InAs quantum dots embedded into InGaAs graded well
- Processamento de amostras semicondutoras: micro e nanofabricação
- The influence of alloy scattering in the 'Cd IND.1-x''Mn IND.x'Te electron transport
- Webcourse: uma ferramenta hierárquica para criação e gerenciamento automático de cursos na Web
- Hole transport characteristics in pure and doped GaSb
Informações sobre o DOI: 10.1063/1.4902311 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas