Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory (2015)
- Authors:
- USP affiliated authors: FAZZIO, ADALBERTO - IF ; ABDALLA, LEONARDO BATONI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1088/0953-8984/27/25/255501
- Subjects: TOPOLOGIA; ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 27, n. 25, p. 255501, jul. 2015
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ABDALLA, Leonardo Batoni et al. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. 27, n. 25, p. 255501, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501. Acesso em: 21 maio 2024. -
APA
Abdalla, L. B., Padilha, J. E., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2015). Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 27( 25), 255501. doi:10.1088/0953-8984/27/25/255501 -
NLM
Abdalla LB, Padilha JE, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2015 ; 27( 25): 255501.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501 -
Vancouver
Abdalla LB, Padilha JE, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2015 ; 27( 25): 255501.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501 - Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation
- Topological states ruled by stacking faults in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' and 'BI' IND. 2''TE' IND. 3'
- Propriedades eletrônicas dos isolantes topológicos
- Estrutura eletronica do yb substitucional do gap
- Role played by interstitial 3d transition - metal atoms in gaas
- Impurezas 3'D POT.N' intersticiais em 'GA''AS': sitios tetraedricos e hexagonal
- 'CR POT.2+' luminescence in 'GA''AS' as a function of hydrostatic pressure
- Propriedades opticas dos semicondutores semimagneticos
- Efeitos de multipletos e relativistico na estrutura eletronica de impurezas ad. Em gap
- Dynamic spin susceptibility in the two-band model in high 'TE' superconductors
Informações sobre o DOI: 10.1088/0953-8984/27/25/255501 (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 | Abdalla_2015_J._Phys.__Co... | Direct link |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
