Fabricação de células solares MOS utilizando oxinitretos de silício obtidos por processamento térmico rápido (RTP) (2017)
- Authors:
- Autor USP: CHRISTIANO, VERÔNICA - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PSI
- Subjects: CÉLULAS SOLARES; FILMES FINOS
- Agências de fomento:
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho foram crescidos filmes finos de oxinitreto de silício (SiOxNy) por processamento térmico rápido (RTP) utilizando um forno térmico convencional adaptado, objetivando fabricar células solares MOS com baixo custo agregado e bom rendimento de conversão de baixas intensidades luminosas em energia elétrica de forma reprodutível. A receita de oxinitretação otimizada foi desenvolvida em ambiente misto de 5N2:1O2 na temperatura de 850°C para tempos de processo, na faixa de 10 a 80s seguido por uma passivação em 2L/min de N2 por 80s. Os dielétricos crescidos foram caracterizados fisicamente quanto à espessura (entre 1,50 e 2,95nm), à microrugosidade (<0,95nmRMS) e à concentração de nitrogênio (1,0-2,1%atm). As características de tunelamento foram investigadas em capacitores MOS e apontaram para a existência de armadilhas interfaciais do tipo K capazes de armazenar cargas positivas. Nas células solares MOS, a corrente de fundo foi característica para todos os processos de oxinitretação empregados (~0,5-2µA/cm2) e apresentaram níveis de resposta à luz incidente na faixa de 1 a 8mA/cm2 compatível com aplicações de conversão de energia em ambientes internos e externos (energy harvesting). A característica densidade de corrente x tensão de porta (JxVG) das células solares apresentou um comportamento aproximadamente linear desde a densidade de corrente de curto-circuito (JSC) até a tensão de curto-circuito (VOC) implicando em potência gerada máximas (PGmáx) de até centenas de µA/cm2 para VG ≡ VOC/2 para uma ampla faixa de intensidade radiante incidente (11,8 - 105,7mW/cm2) alcançando rendimentos de conversão de até 5,5%.
- Imprenta:
- Data da defesa: 18.08.2017
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ABNT
CHRISTIANO, Verônica. Fabricação de células solares MOS utilizando oxinitretos de silício obtidos por processamento térmico rápido (RTP). 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-105125/. Acesso em: 13 jun. 2024. -
APA
Christiano, V. (2017). Fabricação de células solares MOS utilizando oxinitretos de silício obtidos por processamento térmico rápido (RTP) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-105125/ -
NLM
Christiano V. Fabricação de células solares MOS utilizando oxinitretos de silício obtidos por processamento térmico rápido (RTP) [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jun. 13 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-105125/ -
Vancouver
Christiano V. Fabricação de células solares MOS utilizando oxinitretos de silício obtidos por processamento térmico rápido (RTP) [Internet]. 2017 ;[citado 2024 jun. 13 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15012018-105125/ - Caracterização física e elétrica de filmes dielétricos de Al2O3 e AlxHf1-xOy para estruturas high-k MOS
- Hafnium aluminates deposited by atomic layer deposition: structural characterization by X-ray spectroscopy
- Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films
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