On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs (2013)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; NICOLETTI, TALITHA - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1109/ted.2012.2227749
- Subjects: SILÍCIO; FILMES FINOS; AVALIAÇÃO DE DESEMPENHO; TRANSISTORES
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: IEEE Transactions on Electron Devices
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 60, n. 1, p. 444-450, Jan 2013
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos et al. On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 60, n. 1, p. 444-450, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2012.2227749. Acesso em: 06 jun. 2024. -
APA
Santos, S. D. dos, Nicoletti, T., Martino, J. A., Aoulaiche, M., Veloso, A., Jurczak, M., et al. (2013). On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 60( 1), 444-450. doi:10.1109/ted.2012.2227749 -
NLM
Santos SD dos, Nicoletti T, Martino JA, Aoulaiche M, Veloso A, Jurczak M, Simoen E, Claeys C. On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2013 ; 60( 1): 444-450.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2012.2227749 -
Vancouver
Santos SD dos, Nicoletti T, Martino JA, Aoulaiche M, Veloso A, Jurczak M, Simoen E, Claeys C. On the Variability of the Front-/Back-Channel LF Noise in UTBOX SOI nMOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2013 ; 60( 1): 444-450.[citado 2024 jun. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2012.2227749 - DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices
- Spacer length and tilt implantation influence on scaled UTBOX FD MOSFETS
- Experimental and Simulation of 1T-DRAM Trend with the Gate Length on UTBOX Devices
- Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória
- Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado
- Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
- Projeto de processos de fabricação avançados aplicáveis nas tecnologias CMOS micrométricas
- Analysis of the linear kink effect in partially depleted SOI nMOSFETs
- Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K
- Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77K
Informações sobre o DOI: 10.1109/ted.2012.2227749 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas